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Anschlüsse, Verbindungen
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AMI Semiconductor / ON Semiconductor FQPF6N80CT
| Artikelnummer: | FQPF6N80CT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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AMI Semiconductor / ON Semiconductor FQPF6N80CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQPF6N80CT.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220F Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V Verlustleistung (max) 51W (Tc) Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Produkteigenschaften Eigenschaften Hersteller Standard Vorlaufzeit 6 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V detaillierte Beschreibung N-Channel 800V 5.5A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) FQPF6N80CT Einzelheiten PDF [English] FQPF6N80CT PDF - EN.pdf -
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